Добро пожаловать.

(4212) 24-24-29
г. Хабаровск,
ул. Ким Ю Чена, д. 38,
оф. 203.
studio@khvweb.com
211-028-011
Рады видеть Вас в блоге нашей студии! Здесь мы копим нужную, а иногда просто интересную информацию о создании сайтов. Категории:
Статьи
Новости Интернета
Новости студии
Обзоры
Публикации


Главная » Блог » Новости Интернета

Дни флэш-памяти сочтены



По сообщению сайта ElectronicWeekly.com, главный научный сотрудник HP Стэн Уильямс объявил на конференции International Electronics Forum 2011 в Севилье, что компания через полтора года выпустит чип энергонезависимой памяти нового типа на основе «мемристоров» (memristor), способной заменить флэш-память NAND. Дни флэш-памяти сочтены, заявил Уильямс. Ученый также сообщил, что в HP разрабатывают замену DRAM – оперативную память, которой для перезаписи одного бита потребуется на порядок меньше энергии. Memristor (memory resistor) – резистивная память. Принцип ее действия основан на изменении сопротивления ячеек под действием электрического тока. В этом году в HP также объявили о разработке мемристоров, способных выполнять логические операции, то есть один и тот же чип может быть и процессором, и памятью.

В 2010 году HP объявила о контракте с компанией Hynix на выпуск энергонезависимой памяти нового поколения. Как уточнила представитель HP Элайза Грин, в компании действительно планируют выпустить продукты на основе мемристоров к концу 2013 года, однако конкретные сроки еще не установлены. Планы HP и Hynix о сотрудничестве в данной области не изменились, добавила она.


Теги: Компьютеры, Новинки микроэлектроники, Технологии

Комментарии